在過去的十年中，為了完成完成器件尺度的不斷縮小，多重光刻技能被引進(jìn)。現(xiàn)在，EUV作為下一代光刻光源被引進(jìn)，成為繼續(xù)堅(jiān)持器件尺度縮減的候選技能。與此同時(shí)，針對近的高生產(chǎn)率機(jī)器，工藝穩(wěn)定性和機(jī)器質(zhì)量是提高投資回報(bào)率的重點(diǎn)要素。勻膠機(jī)/顯影體系(Coater/DeveloperSystem)的幾個(gè)關(guān)鍵應(yīng)戰(zhàn)是改進(jìn)CDU操控、改進(jìn)圖畫陷落裕度以及EUV高產(chǎn)量解決方案中的缺點(diǎn)削減。為了應(yīng)對這些應(yīng)戰(zhàn)，需求經(jīng)過分析蝕刻后功能預(yù)算來繼續(xù)改進(jìn)硬件和工藝。另一個(gè)首要應(yīng)戰(zhàn)是改進(jìn)機(jī)器狀況辦理。為了應(yīng)對這一應(yīng)戰(zhàn)，需求增強(qiáng)晶圓狀況監(jiān)控和日志數(shù)據(jù)分析。本次講演概述了新的勻膠/顯影工藝技能以及勻膠/顯影體系的新開發(fā)方向。
 

　　烤膠機(jī)整個(gè)面板溫度均勻，對基片膜層固化效果非常好。因?yàn)楣袒菑南峦希圆粫?ldquo;皮膚效應(yīng)”。這種“由里而外”的固化方式尤其適合較厚的膜層，因?yàn)榭拷哪訒紫裙袒茫缓笫悄涌客獾牟糠帧Ｔ摽羁灸z機(jī)因?yàn)樯郎孛艚荩援a(chǎn)值較高。烘烤時(shí)間用秒核算，而不是像傳統(tǒng)烘箱用分鐘或許小時(shí)核算。
 

　　因?yàn)榘雽?dǎo)體制作工藝復(fù)雜，各個(gè)不同環(huán)節(jié)需要的設(shè)備也不同，從流程分類來看，半導(dǎo)體設(shè)備主要可分為硅片生產(chǎn)進(jìn)程設(shè)備、晶圓制作進(jìn)程設(shè)備、封測進(jìn)程設(shè)備等。這些設(shè)備別離對應(yīng)硅片制作、集成電路制作、封裝、測試等工序，別離用在集成電路生產(chǎn)工藝的不同工序里。
 

　　以集成電路各類設(shè)備銷售額推算各類設(shè)備比例，在整個(gè)半導(dǎo)體設(shè)備商場中，晶圓制作設(shè)備為主體占比81%，封裝設(shè)備占6%，測試設(shè)備占8%，其他設(shè)備占5%。而在晶圓制作設(shè)備中，光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、薄膜堆積設(shè)備為核心設(shè)備，大約別離占晶圓制作環(huán)節(jié)設(shè)備本錢的24%、24%、18%。
 

　　目前我國面臨著同樣的困局，國產(chǎn)配備首要布局中低端，在其他光刻機(jī)設(shè)備上首要依賴進(jìn)口。國內(nèi)光刻機(jī)廠商首要為上海微電配備、中電科48所、中電科45研究所等。而中電科研究所盡管產(chǎn)出光刻機(jī)，但首要集中在離子注入機(jī)、CMP、ECD等設(shè)備上，光刻機(jī)競爭力較弱。
 

　　公司首要從事半導(dǎo)體設(shè)備、微細(xì)加工設(shè)備的產(chǎn)品研制、設(shè)計(jì)開發(fā)、生產(chǎn)出售，并展開相關(guān)工藝的研討及使用。首要產(chǎn)品：勻膠機(jī)(SC)、烘膠臺(BP)、曝光機(jī)、刻蝕機(jī)(RIE、ICP、IBE)、等離子體淀積臺(PECVD)、磁控濺射臺(Sputter)、去膠機(jī)、濺射/刻蝕/淀積一體機(jī)、鍵合爐等。
 

　　使用規(guī)模觸及微電子、光電子、LED、MEMS、傳感器、平板顯示、通訊等領(lǐng)域，首要用于科研機(jī)構(gòu)、大專院校、生產(chǎn)企業(yè)和公司進(jìn)行各種器件的研討、開發(fā)和批量生產(chǎn)。公司建有“微細(xì)加工工藝演示線”以“開放實(shí)驗(yàn)室”的形式對各大專院校、研討院所、企業(yè)等相關(guān)研討、生產(chǎn)單位開放。在“開放實(shí)驗(yàn)室”里用戶可獲得：設(shè)備選型、項(xiàng)目預(yù)研與立項(xiàng)、協(xié)作攻關(guān)、工藝訓(xùn)練、外協(xié)加工等服務(wù)支撐。